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2026TPCA展-大銀微系統:攻克4mm翹曲挑戰 & 實現±1nm伺服穩定
 突破1µm光刻線路極限 & 展現高頻鑽孔 36 KUPH極致產能
隨著AI、高速運算(HPC)及先進封裝技術快速發展,高階PCB、IC載板及 重佈線層(RDL)需求持續攀升,產業製程正朝向微細化、高密度與高速加工方向演進。面對更高精度、更高穩定性與更高效率的設備需求,HIWIN Group上銀集團整合精密運動控制技術,推出涵蓋高精度雷射直寫、微細線路曝光、高速鑽孔及先進封裝製程的完整解決方案,展現自主研發與垂直整合實力。
四大技術亮點 引領高階製程升級
l   克服4mm載板翹曲
5個自由度MD-ZT 定位平台進行翹曲補正,解決顯微對焦難題。
l   精密系統整合實現±1nm伺服穩定技術
整合精密傳動、驅控器系統,具備±1nm伺服穩定,大幅提升檢出率。
l   突破1μm直寫式曝光製程極限
奈米級氣浮定位平台消除機械阻力提供完美機構,以80nm重現精度提供穩定輸出品質,確保微細線路曝光位置絕對精準。
l   高頻鑽孔36 KUPH 提升高速微孔加工效率
LMSA-Z線性馬達,具高動態響應及低安裝高度,支援PCB高速鑽孔運動與精準定位。
一、克服4mm翹曲挑戰 解決顯微對焦難題
因應先進封裝與異質整合技術發展,載板尺寸已由310×310mm逐步擴展至515×510mm,大尺寸基板所衍生的翹曲問題成為製程重大挑戰。大銀微系統推出MD-ZT多維度定位平台,具備5個自由度精準定位能力,可於量測與檢測過程中即時補償載板姿態變化,有效修正高達4mm的翹曲變形,克服高倍率顯微鏡對焦困難,大幅提升量測與檢測效率達90%,為高階封裝與載板製程提供穩定的定位基礎。
 
二、精密系統整合實現±1nm伺穩定技術
大銀微系統整合最新1-Nano Controller奈米級驅控器,可實現±1nm伺服穩定度技術。透過與50至100倍高倍率顯微鏡整合應用,能有效降低振動對成像品質造成的影響,維持影像清晰穩定,大幅提升檢出率,成為高階量測、AOI檢測與半導體設備的重要核心技術。
 
三、突破1μm直寫式曝光製程極限
面對先進封裝與RDL製程持續推進,傳統曝光技術已面臨精度與彈性上的限制。
大銀微系統推出新一代高精度雷射直寫解決方案,採用奈米級氣浮線性馬達定位平台,透過無接觸運動系統消除機械摩擦所造成的誤差與振動,提供80nm重現精度、±5nm伺服穩定度以及0.05%@100 mm/s速度均勻性,實現曝光0.35µm線寬一致性與邊緣平滑度,確保產品穩定度。
搭配高精度運動控制與振動抑制演算法,有效解決曝光對位偏差問題,協助設備商打造高精度1µm微細線路直寫能力,突破傳統曝光製程限制。
 
四、高頻鑽孔36 KUPH,兼顧效率與品質
針對高階PCB高速鑽孔需求,大銀微系統推出LMSA-Z線性馬達解決方案,具備高動態響應與低安裝高度特性。
整體系統加速度可達3.5G,應用於高頻鑽孔設備時產能可達36 KUPH;搭配高精度線性馬達平台,有效降低高速加工誤差,提升微孔加工品質與設備長期穩定性。
自主研發與垂直整合 優勢打造完整解決方案
HIWIN Group長期深耕精密運動控制、線性傳動、伺服驅控與系統整合技術,憑藉高度自主研發能力與集團垂直整合優勢,可提供從關鍵元件到整機設備的完整機電整合解決方案。


透過與客戶共同開發及深度協作,不僅可縮短設備開發週期,加速產品迭代速度,更能因應半導體、載板及高階PCB市場快速變化的需求,協助客戶提升競爭力,建立長期策略夥伴關係。
 
挑戰世界級規格 歡迎優秀人才加入
面對奈米級精度、高速運動控制以及先進製程持續升級的產業趨勢,HIWIN Group持續投入技術創新與人才培育,積極招募機械、電控、軟體及系統整合領域優秀人才。
誠摯邀請勇於挑戰世界級規格、追求技術突破的夥伴加入,共同推動精密製造技術邁向更高標準,攜手打造全球智慧製造新未來。

 
歡迎蒞臨M-927展位參觀交流。
展會資訊:📍日期:2026.10.20-10.22   09:30 - 17:00 (最後一天15:30)
                  📍地點:台北南港展覽館1館4樓( M-927 )
 

資訊來源:大銀微系統
日      期:2026/10/22
https://www.hiwinmikro.tw/


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